- 美国SVT公司MBE分子束外延系统
- 美国SVT公司MBE分子束外延系统
美国SVT公司MBE分子束外延系统
美国SVT公司是世界MBE供应商，具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。
占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统，以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。
SVT公司拥有独立的应用实验室，可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。
SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。
型号 应用 样品尺寸 35-4
III-V, 或其他化合物半导
4’’
35-N
氮化物半导体
4’’或3X2’’
35-6
III-V或II-VI 或其他化合物半导体
4’’, 6’’或多片2’’
35-G-4
III-V化合物，SiGe
4’’
SM-6
Si，Ge，金属
4’’或6’’
S-8
Si，Ge，介质材料
8’’可配集成腔室
SVT-V
化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料
2’’或3’’
35-D
双生长腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半导体，铁磁材料
3’’或4’’
35-V
CIGS
3’’或4’’
NanoFab
II-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料
1’’或2’’
UVD-02
氧化物或其他介质材料
4’’, 可配有液态源
PLD-02
氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等
4’’, 激光/电子束沉积
35V14
化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料
14’’或多个小尺寸
SVT MBE系统是模块化设计，主要包括装载室模块，预备或分析室模块，主生长室模块。可配10个源，线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离，互不影响。
Model 35-6 AlGaAs（或其他半导体材料）研究和生产型设备，样品尺寸可达6英寸。
可容纳10个cell。
真空度< 1×10-10Torr。
可配普通束流源、裂解源、RF源、电子束蒸发源。
Model 35-N-V 标准4''衬底MBE平台，用于生长高质量的氮化物半导体材料。可容纳10个cell。
真空度< 1×10-10Torr。
设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。
氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。
26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。真空度< 1×10-10Torr。
此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。
该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。
氧化物MBE还包括：26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。
Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。真空度< 1×10-10Torr。
可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源，或6个普通源及2个电子束蒸发源。
美国SVT公司MBE分子束外延系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术，并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。